Exagan sur la voie de l’industrialisation
Exagan a levé en juin dernier 5,7 M€ pour industrialiser d’ici à deux ans des composants électroniques de puissance en nitrure de gallium (GaN) sur silicium. Cette technologie est destinée aux secteurs de l’automobile, du solaire, des infrastructures et télécommunications.
Ce premier tour de table réalisé auprès de CEA Investissement, Soitec, Technocom 2, CM-CIC Innovation et IRDInov donne à Exagan les moyens de relever son défi : devenir leader européen en interrupteurs de puissance GaN. “Notre innovation de rupture vise un marché potentiel de plusieurs milliards d’euros. Elle répond à des enjeux industriels majeurs en Europe et à la future transition énergétique”, expliquent Frédéric Dupont et Fabrice Letertre, cofondateurs de la société.
La technologie de composants électroniques en nitrure de gallium sur plaques de silicium mise au point par la start-up convertit la tension alternative en tension continue. Elle permet de fabriquer des convertisseurs électriques ultraperformants trois fois plus compacts et moins chers que les solutions classiques à base de silicium.
Une technologie d’avenir
Essaimée du CEA Leti et de Soitec où ses cofondateurs ont travaillé ensemble pendant 15 ans en R&D, Exagan a signé cette année un accord avec le fondeur allemand X-Fab pour produire ses composants en fort volume. Elle est aussi partenaire du CEA Leti, qui développe des applications avec des partenaires industriels à partir de sa plate-forme G-FET. Implantée également à Toulouse, l’entreprise conservera la fabrication des matériaux semi-conducteurs dans sa propre salle blanche à Grenoble. Elle compte passer de six personnes à une quinzaine d’ici début 2016.
A. Zylberberg
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